FinFET制程工艺的理论。硅晶圆的晶体结构特点好像并不适合FinFET制程工艺，这项制程工艺无法到达极限。
“达不到极限也没关系，我们现在能做出四层蚀刻。再加把力，只要能做到八层蚀刻足够应对各种局面。”
这时候，刚刚来到的章钕京却张开大嘴，大笑着说道。
他很乐观，认为最近不久才取得突破的FinFET制程技术很值得庆贺一番，并且想要请许振鸣给予赐名。
因为做制程技术试验花费比较多，他们的团队成员们正在讨论方案，修改上次试验过程中存在错误程序，并没把这种不成熟的技术当作项目汇报上来。
许振鸣根本不在意章钕京解释的内容，随意的一挥手，“章总、胡主任、章主任，咱们现在要讨论的问题是FinFET制程工艺得到提高，成本有没有下降？”
按照惯例，许振鸣给新一代FinFET制程工艺技术取名为“FinFET+1”的Foundry制程工艺。他希望这项技术能继续升级下去，直至达到n+1这种境界，达到胡明镇所提及的分子层境界。
但目前来说，这项技术提高之后，原来的FinFET制程工艺有没有提高。这才是许振鸣所关心的。
58221579
乌溪小道提醒您：看完记得收藏【蓝色书屋】 www.liaseo.com，下次我更新您才方便继续阅读哦，期待精彩继续！您也可以用手机版：m.liaseo.com，随时随地都可以畅阅无阻...