杨杰对此倒是有足够的耐心，前世的时候艾斯摩尔公司也是花费了十多年时间和技术积累才推出了紫外光光刻机产品出来。
其实从2000年以来，在光学光刻技术努力突破分辨率“极限”的同时，海外很多研究机构也是在研发包括极紫外线光刻技术，电子束光刻技术，x射线光刻技术，纳米压印技术等不同的光刻技术。
其中x射线光刻技术被提出来进行研发的主要原因是因为x射线的波长极短，x射线在用于光刻时的波长通常在0.7到0.12纳米之间，它极强的穿透性决定了它在厚材料上也能定义出高分辨率的图形来。
不过这种技术现阶段来说有两个极大的困难，一个就是如何得到能够长时间稳定可靠工作的光源，到现在为止，世界上还没有办法造出符合这样条件的的光源来，因为现阶段人类制造出第三代同步辐射光源都已经拿出吃奶的劲了。
而且使用x射线光刻技术最主要且最困难的技术就是掩模制造技术，其中1：1的光刻非常困难，是妨碍技术发展的难题之一。
在过去的发展中，科学家对其已经得到了巨大的发展，也有一些新型材料的发现以及应用，有一些已经在实验室中得以实践，但对于工业发展还是没有什么重大的成就。
x射线掩模的基本结构包括薄膜、吸收体、框架、衬底，其中薄膜衬基材料一般使用硅、碳化硅、金刚石，吸收体主要使用金、钨等材料。
要能够使x射线以及其他光线的有效透过，且保障其有足够的机械强度，具有高的x射线的吸收性，且要足够厚，保障其高宽比的量，且其要有高度的分辨率以及反差，对于其掩模的尺寸要保障其精度，要没有缺陷或者缺陷较少。
另外还要研发特殊的光刻胶，难度比华兴集团公司研制极紫外光光刻胶的难度还要大。
所以这项技术只能是作为预研，现阶段根本没有实现的可能。
至于一些研发机构进行研究的纳米压印光刻技术，主要包括热压印、紫外压印以及微接触印刷，这个技术原理就跟盖章一样，采用高分辨率电子束等方法将结构复杂的纳米结构图案制在印章上,然后用预先图案化的印章使聚合物材料变形而在聚合物上形成结构图案。
不过这种技术也是受限于现阶段设备制造技术和化学材料技术，就算是用这种技术也需要极为精密的电子束设备在碳化硅材料上进行刻蚀图案，还要研发涂敷在晶圆上的不同聚合物，工艺也并不简单，也需要大量的厂商进行合
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